IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
FD400R33KF2CNOSA1

FD400R33KF2CNOSA1

FD400R33 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

115
FD400R33KF2CNOSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FD400R33KF2CKNOSA1

FD400R33KF2CKNOSA1

IGBT MOD 3300V 660A 4800W

Infineon Technologies

4,752
FD400R33KF2CKNOSA1数据手册 - Module Bulk Obsolete - Single Chopper 3300 V 660 A 4800 W 4.25V @ 15V, 400A 5 mA 50 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C Chassis Mount Module
FZ1000R33HL3BPSA1

FZ1000R33HL3BPSA1

IGBT MOD 3300V 1000A 1600W

Infineon Technologies

4,226
FZ1000R33HL3BPSA1数据手册 IHM-B Module Bulk Not For New Designs Trench Field Stop Single Switch 3300 V 1000 A 1600 W 2.85V @ 15V, 1000A 5 mA 190 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C Chassis Mount Module
FD1000R33HL3KBPSA1

FD1000R33HL3KBPSA1

IGBT MODULE 3300V 1000A

Infineon Technologies

4,874
FD1000R33HL3KBPSA1数据手册 IHM-B Module Bulk Not For New Designs Trench Field Stop 2 Independent 3300 V 1000 A 11500 W 2.85V @ 15V, 1000A 5 mA 190 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C Chassis Mount Module
FZ1200R33KF2CNOSA1

FZ1200R33KF2CNOSA1

IGBT MODULE 3300V 2000A

Infineon Technologies

9,691
FZ1200R33KF2CNOSA1数据手册 - Module Bulk Obsolete - Full Bridge 3300 V 2000 A 14500 W 4.25V @ 15V, 1200A 12 mA 150 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C Chassis Mount Module
FZ1200R45HL3BPSA1

FZ1200R45HL3BPSA1

IGBT MODULE 4500V 1200A

Infineon Technologies

7,836
FZ1200R45HL3BPSA1数据手册 IHM-B Module Bulk Obsolete Trench Field Stop Single Switch 4500 V 1200 A 15000 W 2.8V @ 15V, 1200A 5 mA 280 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C Chassis Mount Module
FS10R06VL4B2BOMA1

FS10R06VL4B2BOMA1

FS10R06V - IGBT MODULE

Infineon Technologies

2,142
FS10R06VL4B2BOMA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
SNXH160B120L2Q0PG

SNXH160B120L2Q0PG

SNXH160B120L2Q0PG - Integrated p

Analog Devices Inc.

103
SNXH160B120L2Q0PG数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
F3L150R12W2H3BOMA1

F3L150R12W2H3BOMA1

F3L150R12W2H3B - IGBT

Infineon Technologies

990
F3L150R12W2H3BOMA1数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
FF100R12YT3B60BOMA1

FF100R12YT3B60BOMA1

FF100R12YT3B60BO- IGBT MOD 1.2kV

Infineon Technologies

32
FF100R12YT3B60BOMA1数据手册 - Module Bulk Active Trench Half Bridge 1200 V 140 A 1650 W 2.15V @ 15V, 100A 3 mA 18.5 nF @ 25 V Standard Yes -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount -
FP25R12W2T4PBPSA1

FP25R12W2T4PBPSA1

FP25R12 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

72
FP25R12W2T4PBPSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FP35R12W2T4PBPSA1

FP35R12W2T4PBPSA1

FP35R12 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

43
FP35R12W2T4PBPSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
DDB6U104N18RRBOSA1

DDB6U104N18RRBOSA1

LOW POWER ECONO

Infineon Technologies

150
DDB6U104N18RRBOSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
F3L200R12W2H3BOMA1

F3L200R12W2H3BOMA1

F3L200R12W2H3B - IGBT

Infineon Technologies

990
F3L200R12W2H3BOMA1数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
FPF2C8P2NL07A

FPF2C8P2NL07A

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

70
FPF2C8P2NL07A数据手册 - F2 Module Bulk Active Field Stop Three Phase 650 V 30 A 135 W 2.2V @ 15V, 30A 250 µA - Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount F2
FPF2C110BI07AS2

FPF2C110BI07AS2

PIM F2 PV 650V 40A

Fairchild Semiconductor

770
FPF2C110BI07AS2数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
F4100R06KL4BOSA1

F4100R06KL4BOSA1

LOW POWER ECONO

Infineon Technologies

490
F4100R06KL4BOSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
BSM100GB120DN2KHOSA1

BSM100GB120DN2KHOSA1

MEDIUM POWER 34MM

Infineon Technologies

781
BSM100GB120DN2KHOSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FP75R12KT4BOSA1

FP75R12KT4BOSA1

FP75R12 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

31
FP75R12KT4BOSA1数据手册 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FPF2G120BF07AS

FPF2G120BF07AS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

980
FPF2G120BF07AS数据手册 - Module Bulk Active Field Stop 3 Independent 650 V 40 A 156 W 2.2V @ 15V, 40A 250 µA - Standard Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole F2
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分类概览

IGBT 模块 产品与选型指南

IGBT 模块 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 IGBT 模块。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 IGBT 模块?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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