IGBT 模块

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 IGBT 类型 配置 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 功率 - 最大值 导通电压 (Vce(on))(最大值)@ Vge, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 输入电容 (Cies) @ Vce 输入 NTC 热敏电阻 工作温度 安装类型 供应商设备封装
PSDC312E5628406NOSA1

PSDC312E5628406NOSA1

POWER MODULE IGBT

Infineon Technologies

5,614
PSDC312E5628406NOSA1数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
6PS04012E4DG36022NOSA1

6PS04012E4DG36022NOSA1

MODULE IGBT

Infineon Technologies

5,372
6PS04012E4DG36022NOSA1数据手册 PrimeSTACK™ Module Bulk Obsolete - Full Bridge Inverter 3600 V 306 A - 2.05V @ 15V, 200A - - Standard No -40°C ~ 85°C - -
F59318969D

F59318969D

F59318969D

onsemi

8,017
F59318969D数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
FF2MR12KM1H

FF2MR12KM1H

MEDIUM POWER 62MM

Infineon Technologies

5,971
FF2MR12KM1H数据手册 - Module Tray Active Trench Field Stop Half Bridge 1200 V - - - - - Standard No - Chassis Mount AG-62MM
VMO440-02FL/13

VMO440-02FL/13

MOSFET

IXYS

3,804
VMO440-02FL/13数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
BSM150GB120DN2FE325HOSA1

BSM150GB120DN2FE325HOSA1

IGBT MOD

Infineon Technologies

7,107
BSM150GB120DN2FE325HOSA1数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
BSM50GD120DN2B10BOSA1

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IGBT MODULE

Infineon Technologies

6,123
BSM50GD120DN2B10BOSA1数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
NVG800A75L4DSC2

NVG800A75L4DSC2

IC PWR MOD 750V 800A AHPM15

onsemi

7,294
NVG800A75L4DSC2数据手册 - 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm) Tube Active - Half Bridge Inverter 750 V 550 A - 1.6V @ 15V, 600A 1 mA 43000 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole AHPM15-CEA
NVG800A75L4DSB2

NVG800A75L4DSB2

MODULE

onsemi

8,103
NVG800A75L4DSB2数据手册 - 15-PowerDIP Module (2.827", 71.80mm) Bulk Active - Half Bridge Inverter 750 V 800 A - 1.6V @ 15V, 600A 1 mA 43000 pF @ 30 V Standard No -40°C ~ 175°C (TJ) Through Hole AHPM15-CEC
MSCGLQ75X120CTYZBNMG

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PM-IGBT-SBD-NHPD

Microchip Technology

8,634
MSCGLQ75X120CTYZBNMG数据手册 - Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 1200 V 150 A 452 W 2.4V @ 15V, 75A 50 µA 4400 pF @ 25 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ100X065CTYZBNMG

MSCGLQ100X065CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-NHPD

Microchip Technology

8,863
MSCGLQ100X065CTYZBNMG数据手册 - Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 650 V 150 A 400 W 2.3V @ 15V, 100A 50 µA 490 pF @ 25 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
VS-GT200SA60UP

VS-GT200SA60UP

IGBT MOD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,410
VS-GT200SA60UP数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
VS-ENU060Y60U

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IGBT MOD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,464
VS-ENU060Y60U数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
SNXH300B95H3Q2F2PG-N-R

SNXH300B95H3Q2F2PG-N-R

IGBT MODULE

onsemi

8,088
SNXH300B95H3Q2F2PG-N-R数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
SNXH300B95H3Q2F2PG-N

SNXH300B95H3Q2F2PG-N

IGBT MODULE

onsemi

6,049
SNXH300B95H3Q2F2PG-N数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
XCSNXH300B95H3Q2F2PG-N

XCSNXH300B95H3Q2F2PG-N

IGBT MODULE

onsemi

3,980
XCSNXH300B95H3Q2F2PG-N数据手册 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
MSCGLQ50X120CTYZBNMG

MSCGLQ50X120CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-6HPD

Microchip Technology

7,755
MSCGLQ50X120CTYZBNMG数据手册 - Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 1200 V 90 A 330 W 2.4V @ 15V, 50A 25 µA 2770 pF @ 25 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCGLQ50X065CTYZBNMG

MSCGLQ50X065CTYZBNMG

PM-IGBT-SBD-6HPD

Microchip Technology

8,835
MSCGLQ50X065CTYZBNMG数据手册 - Module Bulk Active - Three Phase Inverter with Brake 650 V 70 A 210 W 2.3V @ 15V, 50A 50 µA 3100 pF @ 25 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MSCSM120XM31RTBL3NG

MSCSM120XM31RTBL3NG

PM-MOSFET-SIC-BL3

Microchip Technology

2,913
MSCSM120XM31RTBL3NG数据手册 - Module Bulk Active - Three Phase 1200 V 79 A 310 W - - 3020 pF @ 1 kV Three Phase Bridge Rectifier Yes -55°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount -
MIXA41W1200TED

MIXA41W1200TED

IGBT MODULE

IXYS

2,058
MIXA41W1200TED数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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分类概览

IGBT 模块 产品与选型指南

IGBT 模块 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 IGBT 模块。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 IGBT 模块?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

页面上的库存信息是否可以直接采购?

库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

找不到指定型号怎么办?

您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

是否可以提供 Datasheet 和技术资料?

可以。产品列表中的 Datasheet 链接可用于查看相关技术资料;如资料暂缺,也可以联系我们协助查找。

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