可变电容(变容二极管、变容器)

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电容 @ Vr, F 电容比 电容比条件 电压 - 反向峰值(最大值) 二极管类型 Q 值 @ Vr, F 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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图片 制造商料号 库存情况 价格 数量 数据手册 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电容 @ Vr, F 电容比 电容比条件 电压 - 反向峰值(最大值) 二极管类型 Q 值 @ Vr, F 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装
SVC201SPA

SVC201SPA

SILICON VARACTOR DIODE

onsemi

97,142
SVC201SPA数据手册 - 2-SIP Bulk Active 12.99pF @ 7.5A, 1MHz - - 16 V Single - 100°C (TJ) - - Through Hole 2-SPA
SVC388T-AL

SVC388T-AL

AM VARICAP TWIN VR 8V

onsemi

94,489
SVC388T-AL数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - -
MMBV809LT1G

MMBV809LT1G

DIODE TUNING SS 20V SOT23

onsemi

7,523
MMBV809LT1G数据手册 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete 6.1pF @ 2V, 1MHz 2.6 C2/C8 20 V Single 75 @ 3V, 500MHz 125°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
SVC348S-AL

SVC348S-AL

AM VARICAP TWIN VR 8V

onsemi

80,830
SVC348S-AL数据手册 - 3-SSIP Bulk Active 26pF @ 8V, 1MHz 18.5 C1/C8 16 V 1 Pair Common Cathode 200 @ 1V, 1MHz 125°C (TJ) - - Through Hole 3-SPA
SVC325-TL-E

SVC325-TL-E

VARICAP DIODE VR 8V

onsemi

30,000
SVC325-TL-E数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - -
MMBV2109LT1G

MMBV2109LT1G

DIODE TUNING SS 30V SOT23

onsemi

4,363
MMBV2109LT1G数据手册 - TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete 36.3pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30 30 V Single 200 @ 4V, 50MHz 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
SVC211SPA-C-AL

SVC211SPA-C-AL

FM VARICAP TWIN VR 8V

onsemi

50,400
SVC211SPA-C-AL数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - -
MV2101G

MV2101G

DIODE TUNING 30V 6.8PF TO92-2

onsemi

5,250
MV2101G数据手册 - TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Obsolete 7.5pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30 30 V Single 450 @ 4V, 50MHz 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92
MV2109RLRA

MV2109RLRA

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

onsemi

2,000
MV2109RLRA数据手册 - TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) Bulk Active 36.3pF @ 4V, 1MHz 3.2 C2/C30 30 V Single 200 @ 4V, 50MHz - - - Through Hole TO-92
SVC386T-AL

SVC386T-AL

SILICON DIFFUSED JUNCTION TYPE C

onsemi

266,400
SVC386T-AL数据手册 - - Bulk Active - - - - - - - - - - -
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