桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电压 - 反向峰值(最大值) 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 认证 安装类型 供应商设备封装

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GBU6K-5410M3/51

GBU6K-5410M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,701
GBU6K-5410M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 800 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6KL-5300E3/51

GBU6KL-5300E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

6,848
GBU6KL-5300E3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 800 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6KL-5300M3/51

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BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,136
GBU6KL-5300M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 800 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6KL-6441E3/51

GBU6KL-6441E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,138
GBU6KL-6441E3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 800 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6KL-6441M3/51

GBU6KL-6441M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,283
GBU6KL-6441M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 800 V 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6ML-5301E3/51

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BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,001
GBU6ML-5301E3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 1 kV 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6ML-5301M3/51

GBU6ML-5301M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,154
GBU6ML-5301M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 1 kV 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU6ML-7001M3/45

GBU6ML-7001M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.8A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

5,771
GBU6ML-7001M3/45数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 1 kV 3.8 A 1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8DL-6088E3/45

GBU8DL-6088E3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,391
GBU8DL-6088E3/45数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 200 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8DL-6088E3/51

GBU8DL-6088E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,645
GBU8DL-6088E3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 200 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8DL-6088M3/45

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BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,051
GBU8DL-6088M3/45数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 200 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8DL-6088M3/51

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BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,321
GBU8DL-6088M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 200 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8DL-6903E3/51

GBU8DL-6903E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

4,454
GBU8DL-6903E3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 200 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8DL-6903M3/51

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BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,307
GBU8DL-6903M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 200 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8J-001E3/51

GBU8J-001E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,172
GBU8J-001E3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 600 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8J-001M3/51

GBU8J-001M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,942
GBU8J-001M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 600 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8J-02E3/P

GBU8J-02E3/P

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,193
GBU8J-02E3/P数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 600 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8J-5410M3/51

GBU8J-5410M3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,139
GBU8J-5410M3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 600 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8J-7000M3/45

GBU8J-7000M3/45

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,115
GBU8J-7000M3/45数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 600 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
GBU8JL-5300E3/51

GBU8JL-5300E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.9A GBU

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

7,162
GBU8JL-5300E3/51数据手册 - 4-SIP, GBU Tube Obsolete Single Phase Standard 600 V 3.9 A 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole GBU
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桥式整流器 产品与选型指南

桥式整流器 广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备、消费电子、新能源及其他电子系统。我们提供多品牌、多封装及不同规格的相关产品,方便工程师、采购人员和研发团队进行型号筛选、参数比较和采购询价。

您可以根据制造商、关键参数、库存情况及 Datasheet 信息筛选适合的 桥式整流器。如暂时没有找到完全匹配的型号,也可以提交询价,我们将协助确认库存、交期以及可替代型号。

FAQ

如何选择合适的 桥式整流器?

建议先确认电气参数、封装、工作温度、应用环境以及品牌要求,再结合库存和交期进行筛选。

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库存会随供应情况变化。对于项目采购或批量需求,建议提交询价,以便进一步确认实时库存、价格和交期。

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您可以提交型号和数量需求,我们可以协助查询缺货型号,并根据参数提供可替代型号建议。

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